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    Prodotti eccellenti e grande [...]

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Hard Disk Stato Solido SSD 2,5" 250GB Samsung 850 Evo SATA III MZ-75E250B

Hard Disk Stato Solido SSD 2,5" 250GB Samsung 850 Evo SATA III MZ-75E250B
Prezzo:

88,90 Iva inclusa (22%)

Spese di trasporto:
A partire da 4,90 €Maggiori dettagli
Cod. art.: 25446
Marca: Samsung
Fidelity:
Cod. EAN: 8806086522977
Unità di misura: PZ
Disponibilità: Disponibile (17 PZ)
Quantità:

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Descrizione

Aggiornamento praticamente ogni aspetto delle prestazioni del computer con la nuova 850 EVO di Samsung, progettato con avanzamenti state-of-the-art SSD tra cui la tecnologia 3D V-NAND. Come la nuova generazione al di là del bestseller 840 EVO, si otterrà nuovo 3 chip design tridimensionale del 850 EVO che consente prestazioni superiori, maggiore affidabilità ed efficienza energetica superiore in modo da poter lavorare e giocare più velocemente e più a lungo che mai.

3D V-NAND tecnologia

Innovative 3D V-NAND pause architettura di memoria flash di Samsung attraverso la densità, le prestazioni e le limitazioni di durata della tradizionale architettura planare NAND di oggi.Samsung 3D V-NAND stack 32 strati di cellule con conseguente verticalmente in maggiore densità e prestazioni migliori utilizzando un ingombro ridotto.

Incredibile lettura / scrittura costi

Ottenere incredibili prestazioni di lettura / scrittura per massimizzare la vostra esperienza di computing di tutti i giorni con la tecnologia TurboWrite di Samsung. È possibile ottenere fino a 1.9x prestazioni più veloci rispetto al pluripremiato Samsung 840 EVO. La 850 EVO offre prestazioni ai vertici della categoria * in lettura sequenziale (540 MB / s) e scrittura (520MB / s) velocità. Inoltre, l'aumento di prestazioni ottimizzate a caso in tutte QD per migliorare le prestazioni nel mondo reale.* Le prestazioni rispetto alle unità SSD MLC classe 3-bit


Capacità 250 GB
Interfaccia SATA 6 Gb/s (compatible with SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s interface)
Lettura Sequenziale
Up to 540 MB/s
Scrittura Sequenziale Up to 520 MB/s
Velocità Memoria Samsung 32 layer 3D V-NAND
RAM Samsung 512 MB low power DDR3 SDRAM
Random Read 4KB, QD32
Up to 97,000 IOPS 
4KB, QD1
Up to 10,000 IOPS 

Nota prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e di sistema
Random Write 4KB, QD32
Up to 88,000 IOPS
4KB, QD1
Up to 40,000 IOPS 
Nota prestazioni possono variare in base alla configurazione hardware e di sistema
Controller Samsung MGX controller
TRIM Support Yes
AES Encryption AES 256-bit Encryption (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Consumo 50 milliwatts
2.4 Watts (maximum)
2.4 Watts (burst mode) 

Nota consumo energetico effettivo può variare a seconda della configurazione hardware e di sistema
Voltaggio 5V ± 5% Allowable voltage
Affidabilità 2 Million Hours Reliability (MTBF)
Temperatura di Utilizzo 32 to 158°F / 0 to 70° C
Fattore di Forma 2.5"
Compatibilità OS Windows Vista or later
Dimensioni 3.94 x 2.75 x 0.27" / 10.01 x 6.99 x 0.69 cm
Peso 1.44 oz / 40.82 g

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